CN119521687A 一种用于减少电噪声的tmbs半导体器件制造方法 （长春长光圆辰微电子技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521687A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202510081006.4

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人长春长光圆辰微电子技术有限公司

地址130000吉林省长春市经开区营口路

18号

(72)发明人李彦庆孙萱高洋崔旭

(74)专利代理机构长春众邦菁华知识产权代理

有限公司22214

专利代理师杨洁

(51)Int.Cl.

H10D8/01(2025.01)

H01L21/768(2006.01)

G06F30/392(2020.01)

G06F30/394(2020.01)

G06F30/398(2020.01)

G06F18/27(2023.01)

G06N20/10(2019.01)

权利要求书2页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制

造方法

(57)摘要

CN119521687A本申请涉及半导体器件制造技术领域，本申请提供一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：选取半导体材料作为TMBS基底，使用化学气相沉积在半导体基底表面形成氧化层，使用光刻技术在氧化层上定义沟槽的位置，使用反应离子技术在氧化层