CN119521663A 高密度三维可编程存储器的制备方法 （成都皮兆永存科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521663A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411612601.8

(22)申请日2021.03.03

(66)本国优先权数据

202010270774.12020.04.08CN

(62)分案原申请数据

202110233574.32021.03.03

(71)申请人成都皮兆永存科技有限公司

地址610000四川省成都市高新区府城大

道西段399号5栋1单元11层3号

(72)发明人彭泽忠

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理

有限公司11385

专利代理师付雨欣

(51)Int.Cl.

H10B20/25(2023.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

高密度三维可编程存储器的制备方法

(57)摘要

CN119521663A本申请公开了一种高密度三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术，方法包括：形成基础结构体；对基础结构体开槽；在分割槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；在分割槽中填充核心介质，形成核心介质层；采用掩膜下刻蚀工艺，沿填充有核心介质的分割槽刻蚀深孔，由深孔截断分割槽中的核心介质；在深孔中填充绝缘介质。本发明成本

CN119521663A

CN1195