- 0
- 0
- 约2.47万字
- 约 46页
- 2026-05-10 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119522148A
(43)申请公布日2025.02.25
(21)申请号202380052669.2
(22)申请日2023.03.09
(30)优先权数据
PCT/JP2022/0347662022.09.16JP
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.08
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/JP2023/0090062023.03.09
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2024/057584JA2024.03.21
(71)申请人山崎马扎克公司
地址日本爱知县
(7
您可能关注的文档
- CN119521693A 半导体器件及其制造方法 (深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司).docx
- CN119521703A 一种低阻高可靠沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119521711A 半导体结构及其形成方法 (浙江创芯集成电路有限公司).docx
- CN119521742A 半导体器件、制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆 (长飞先进半导体(武汉)有限公司).docx
- CN119521743A 一种半导体结终端结构及其制作方法 (强华时代(成都)科技有限公司).docx
- CN119521747A 晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法 (合肥维信诺科技有限公司).docx
- CN119521752A 半导体器件及其形成方法 (浙江创芯集成电路有限公司).docx
- CN119521783A 半导体结构及其形成方法、存储器系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119521784A 半导体器件及其制造方法、存储器系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119521786A 静电保护器件及其形成方法、集成电路芯片及其形成方法 (格科微电子(上海)有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)