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CN119536191A 用于碳化硅高压mosfet的工艺动态控制方法及装置 （浙江广芯微电子有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-11 发布于山西
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CN119536191A 用于碳化硅高压mosfet的工艺动态控制方法及装置 （浙江广芯微电子有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119536191A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202510100720.3

    (22)申请日2025.01.22

    (71)申请人浙江广芯微电子有限公司

    地址323000浙江省丽水市莲都区南明山

    街道七百秧街122号

    (72)发明人谢刚刘斌凯潘文杰

    (74)专利代理机构镇江至睿专利代理事务所(普通合伙)32529

    专利代理师王恒静

    (51)Int.Cl.

    G05B19/418(2006.01)

    权利要求书3页说明书11页附图3页

    (54)发明名称

    用

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