Abstract
摘要
在能谷半导体的研究和潜在应用中,MoS等过渡金属二硫族化合物是最具
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吸引力的候选材料。因此,通过物理手段(应变、电场)和化学手段(掺杂、
表面修饰和界面构建)来调控它们的能谷特性具有重要意义。
首先,通过应变可以调控能带结构和带隙大小,但应变有时会破坏其能谷
特性,而且达到一定应变大小时会引起体系的半导体
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