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氧化物半导体纳米结构：从物性解析到器件创新

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子器件正朝着小型化、高性能、多功能的方向迈进。氧化物半导体纳米结构作为一种新型材料，凭借其独特的物理性质和在电子器件领域的巨大应用潜力，成为了材料科学与电子工程领域的研究焦点。

氧化物半导体是一类由金属元素与氧元素组成的化合物半导体，如氧化锌（ZnO）、氧化钛（TiO?）、氧化铟锡（ITO）等。与传统半导体材料相比，氧化物半导体具有诸多优势。在光学方面，许多氧化物半导体具有宽禁带特性，使其在紫外光探测、发光二极管等光电器件中展现出良好的应用前景。以ZnO为例，其禁带宽度约为3.37