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2020年长鑫存储研发岗笔试必刷200题及答案解析.doc

2020年长鑫存储研发岗笔试必刷200题及答案解析.doc

    2020年长鑫存储研发岗笔试必刷200题及答案解析

    一、单项选择题（每题2分，共10题）

    1.在DRAM单元中，用于存储信息的最核心元件是

    A.电容B.晶体管C.电阻D.电感

    2.下列哪一项不是影响DRAM刷新周期的主要因素

    A.单元电容大小B.亚阈值漏电流C.位线长度D.封装材料

    3.对于1T1CDRAM单元，读取操作本质上是

    A.破坏性读出B.非破坏性读出C.静态写入D.动态写入

    4.在65nm节点以下，为抑制短沟道效应，通常采用的沟道掺杂技术是

    A.HALO注入B.深n阱C

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