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CN119545830A 高电子迁移率电晶体及其制备方法 （财团法人交大思源基金会）.docxVIP

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  • 2026-05-13 发布于山西
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CN119545830A 高电子迁移率电晶体及其制备方法 （财团法人交大思源基金会）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119545830A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202311079875.0

    (22)申请日2023.08.25

    (71)申请人财团法人交大思源基金会

    地址中国台湾新竹市大学路1001号

    (72)发明人张翼林岳钦杨贺宇曾皓

    (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

    公司11021

    专利代理师李鹏宇

    (51)Int.Cl.

    H10D30/01(2025.01)

    H10D30/47(2025.01)

    H10D64/00(2025.01)

    H1

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