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CN119545788A 半导体器件及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-12 发布于山西
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CN119545788A 半导体器件及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119545788A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202411037249.X

    (22)申请日2024.07.31

    (30)优先权数据

    10-2023-01154522023.08.31KR

    (71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

    (72)发明人金承焕崔康植

    (74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限

    公司11363

    专利代理师许伟群李少丹

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    权利要求书2页说明书21页附图3

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