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CN119545862A 一种抗辐照超结功率mos器件及其制备方法 （西安龙飞电气技术有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-12 发布于山西
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CN119545862A 一种抗辐照超结功率mos器件及其制备方法 （西安龙飞电气技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119545862A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202510088313.5

    (22)申请日2025.01.21

    (71)申请人西安龙飞电气技术有限公司

    地址710018陕西省西安市经济技术开发

    区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园

    (72)发明人张园园李建伟胡海龙曹琳王宁平张欣

    (74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

    专利代理师勾慧敏

    (51)Int.Cl.

    H10D30/66(2025.01)

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