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B特性与电路设计分析：判断题与计算题.pdfVIP

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  • 2026-05-13 发布于北京
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B特性与电路设计分析：判断题与计算题.pdf

    问题#1判断对错

    I.当BJT的集电极电流恒定为1mA时，随着V的增加，V将减少。

    CBBE

    II.在BJT晶体管中，ICEO是ICBO的β倍。

    IIPPM）而增加。.

    I.随着温度的升高，a（β）会随T（5000至7000

    C

    IV.随着BJT的电流密度增加，其V将减少。

    BE

    V.随着BJT的基区片电阻增加，其效率将降低。

    ++

    VI.PN结的雪崩击穿取决于P的掺杂水平。

    判断电路的好坏。

    问题#2

    β49,=∞V,=1mA,计算R使得Vout=1V，对于R=1MΩ,VCC=5V。

    pnpAOC

    Question#1IndicateTrueofFalse

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