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2025年电子行业研发部工程师元器件选型手册

第1章基础理论与选型原则

1.1半导体器件物理特性与失效机理

硅基N沟道增强型MOSFET在导通时，源极与漏极之间形成导电沟道，其物理特性由载流子迁移率、体电阻率及栅极阈值电压$V_{th}$共同决定，失效往往源于栅氧化层热击穿或体二极管反向击穿。当器件工作在高温高湿环境下，结温$T_j$超过150°C时，载流子热激发加剧导致迁移率下降，进而引发漏电流指数级上升，典型数据表明在125°C下漏电流可能增加3倍以上。

深亚微米工艺下的短沟道效应使器件阈值电压随体效应显著变化，若未进行体漂移补偿，会导致在相同栅压