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2026年模拟电路基础知识面试题及答案

1.简述PN结的单向导电性及其在不同偏置下的载流子运动机制。

PN结正向偏置时，外电场方向与内建电场相反，削弱内建电场，耗尽层变窄，多数载流子（P区空穴、N区电子）的扩散运动增强，形成较大的正向电流（由扩散电流主导）；反向偏置时，外电场与内建电场同向，耗尽层变宽，多数载流子扩散被抑制，少数载流子（P区电子、N区空穴）的漂移运动主导，形成极小的反向饱和电流（近似认为与反向电压无关）。需注意，当反向电压超过击穿电压时，PN结发生击穿（齐纳击穿或雪崩击穿），反向电流剧增，但齐纳击穿主要发生在重掺杂结（势垒区薄，电场强，直接隧穿），雪崩击穿则发生在轻掺杂结（载流子碰撞电离倍增）。

2.比较双极型晶体管（BJT）与MOS场效应管（MOSFET）的主要特性差异，至少列举5点。

（1）载流子类型：BJT为双极型器件（电子和空穴共同参与导电），MOSFET为单极型器件（仅多数载流子导电）；（2）输入阻抗：BJT输入阻抗较低（基极电流存在），MOSFET输入阻抗极高（栅极几乎无直流电流）；（3）噪声特性：BJT低频噪声（1/f噪声）较小，MOSFET在亚阈值区1/f噪声较明显；（4）温度敏感性：BJT的VBE具有负温度系数（约-2mV/℃），MOSFET的阈值电压VT通常也呈负温度系数，但饱和电流与温度的关系更复杂（与工艺节点相关）；（5）驱动能力：大