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2006～2007学年微电子器件基础期末考试试卷

一、简答题（每题10分）

1.简介PN结接触电势差的形成机制。

2.PN结的击穿机理有哪几种，简述其中一种的机理？

3.以npn双极晶体管为例，写出正向有源，反向截止及饱和等状态的各个结偏置

状态。

4.什么是MOSFET的阈电压？其主要影响因素有哪些？

5.什么是MOSFET的沟道长度调制效应？

6.什么是MOSFET的亚阈值特性？

二、计算题

2

n沟MOSFET的参数如下：u=650cm/v•s，tox=200Å，W/L=50，V=0.4V，设晶

nT

体管工作于饱和区，求V=1V,2V,3V时的漏源电流大小。（20分）

GS

三、论述题

从V,V的作用出发，分析n沟增强性MOSFET的基本工作原理（20分）

GSDS

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