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ApplicationNote

SiCMOSFET

栅极-源极电压的浪涌抑制方法

在各类电源电路和大功率供电电路中，经常使用MOSFET和IGBT等功率元器件来作为开关器件。近年来得到加速应用的SiCMOSFET

的动作速度很快，以至于不可忽视器件本身的封装电感和外围电路的布线电感出于电压电流变化而对开关动作所产生的影响。特别

是当器件自身的电压和电流发生变化时，器件的栅极与源极之间的电压有时会产生预期之外的正向或者负向浪涌，针对该现象已经

有各种各样的应对策略研究。本应用手册的目的，是在于阐明MOSFET的栅极和源极之间浪涌产生的原因，并提出最适合的应对方

法。

在栅极-源极电压上所产生的浪涌

在应用手册《桥式电路中，器件的栅极-源极电压动作特性》

T7：HS侧器件完全导通阶段（同步整流阶段）

*1中，详细说明了桥式电路中的开关元器件，在开通或者关

T8：HS侧器件关断，截止到LS侧器件