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应用笔记

SiCMOSFET

缓冲电路的设计方法

近几年，SiCMOSFET作为各种各样的电源应用和电源线的开关元件，其应用范围在迅速地扩大中。其中一个主要原因是与以前

的功率半导体相比，SiCMOSFET使得高速开关动作成为可能。不过，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，元件自身的封装电

感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可超过使用的MOSFET的最大

规格，对此有各种各样的抑制方法。在本应用笔记本中，将对漏极源极尖峰抑制方法之一的缓冲电路的设计方法进行说明。

该尖峰的最大值VDS_SURGE如下式所示(*1)，其中VHVDC表示

漏极源极之间的电压尖峰

HVdc端的电压，ROFF表示MOSFETTurnO