CN119585861A 半导体结构及其切割方法、存储器 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119585861A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380009222.7

(22)申请日2023.05.12

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.05.26

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/0939312023.05.12

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/234150ZH2024.11.21

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人范冬宇高庭庭谢炜吕忠夏志良霍宗亮

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有

限公司11270专利代理师高洁张颖玲

(51)Int.Cl.

H01L21/78(2006.01)

H01L23/00(2025.01)

(54)发明名称

半导体结构及其切割方法、存储器

(57)摘要

CN119585861A本公开实施例提供一种半导体结构及其切割方法、存储器，所述半导体结构包括：第一晶圆；所述第一晶圆包括多个第一外围电路芯片、位于所述第一外围电路芯片之间的第一切割道、位于所述第一晶圆边缘的第一标记，所述第一标记的指向与所述第一切割道的延伸方向相同，且所述第一