CN119584561A 一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法 （江苏环鑫半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584561A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510134377.4

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人江苏环鑫半导体有限公司

地址214200江苏省无锡市宜兴经济技术

开发区文庄路2号

(72)发明人李薛民叶海峰蔡永军吕贺贺陆文雅高峦田徐嘉雯

(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213

专利代理师栾志超

(51)Int.Cl.

H10D8/01(2025.01)

H10D8/25(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法

(57)摘要

CN119584561A一种低压低漏电平面型稳压管的制备方法，步骤包括：在基片上进行掺氯氧化，生长二氧化硅作为初始屏蔽层；在硅片正面进行硼扩散，以形成具有硼结的P+A区；对硅片正面和背面进行表面吸杂，以在硅片双面形成磷硅玻璃层；在硅片正面蒸铝，并保留硼扩散区上的铝层；再在硅片正面进行快速退火，以在硅片正面中的扩散区中形成P+B区；再在硅片正面和背面进行真空蒸镀获得金属层；再通过光刻法去除正面屏蔽氧化层上的金属层，