CN119584578A 一种半导体器件及其制造方法 （广东致能半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584578A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411694097.0

(22)申请日2019.11.14

(62)分案原申请数据

201911110750.32019.11.14

(71)申请人广东致能半导体有限公司

地址518100广东省深圳市宝安区新安街

道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座3层

(72)发明人黎子兰

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师方晓燕

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图5页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN119584578A本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括衬底；在所述衬底上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第一半导体层；所述第一半导体层的侧表面与所述第一绝缘层的上表面斜相交；在所述第一半导体层的侧表面上形成的第二半导体层，在所述第二半导体层的侧表面上形成的第三半导体层，在所述第一至第三半导体层上形成的第四半导体层，所述第四半导体层与第一至第三半导体层的界面处