CN119584550A 存储器件及其制作方法、电子设备 （北京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584550A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510130707.2

(22)申请日2025.02.06

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人王宗巍冀映彤蔡一茂张海粟杨高琦鲍霖黄如

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师鲁盛楠

(51)Int.Cl.

H10B63/00(2023.01)

权利要求书2页说明书10页附图9页

(54)发明名称

存储器件及其制作方法、电子设备

(57)摘要

CN119584550A本公开涉及一种存储器件及其制作方法、电子设备，存储器件包括：存储单元，设于衬底上，存储单元沿垂直于衬底的方向间隔排列，存储单元包括选通晶体管和阻变器件；选通晶体管包括沿平行于衬底的第一方向延伸的水平半导体层，阻变器件包括水平半导体层以及沿第一方向远离水平半导体层依次设置的阻变层和电极层；源线，沿平行于衬底的第二方向延伸，沿垂直于衬底的第三方向间隔排列，沿第一方向，源线设于水平半导体层远离阻变层一侧；字线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的选通晶体管的水平半导体层相交；位线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的阻变器件的电极层连接。