980nm VCSEL的研制工艺与电路模型构建及优化研究.docx

980nmVCSEL的研制工艺与电路模型构建及优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，VCSEL）作为半导体激光器领域的重要成员，凭借其独特的结构和优异的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，正逐渐成为光电子学研究和产业发展的焦点。

从结构上看，VCSEL的谐振腔垂直于衬底表面，这种独特的纵向腔结构赋予了它许多传统边发射激光器所不具备的优势。在性能方面，VCSEL具有低阈值电流的特点，这意味着它在较低的驱动电流下就能实现激光发射，有效降低了能耗，使其在对功耗要求严格的应用场景中表现出色