CN119586339A 半导体器件及其制作方法、存储器和存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119586339A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380009712.7

(22)申请日2023.07.06

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.08.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/1061372023.07.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2025/007345ZH2025.01.09

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人刘小欣霍宗亮

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师孟霞

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法、存储器和存储系

统

(57)摘要

CN119586339A本申请公开一种半导体器件及其制作方法、存储器和存储系统；半导体器件包括多个半导体柱；沿第二方向上相邻半导体柱之间设有一栅极条和一屏蔽条；阻隔条沿第一方向延伸，阻隔条与屏蔽条在第三方向上的一端连接，且位于屏蔽条与栅极条在第三方向上的同一侧。本申请可提

CN119586339A