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基于PEEM技术的极紫外光刻掩模白板缺陷检测.pdf

基于PEEM技术的极紫外光刻掩模白板缺陷检测.pdf

    摘要

    光刻技术是集成电路制造中的核心技术，作为当代主流光刻技术的极紫外光刻更

    是突破后摩尔时代技术指标的关键技术。随着半导体工艺向7nm及以下节点推进，

    对极紫外光刻的要求更加严格，掩模上的任何微小缺陷都可能对最终的芯片性能造成

    巨大影响。为了降低极紫外掩模白板缺陷对光刻的影响，提高极紫外光刻的良率，本

    论文主要开展极紫外光刻掩模白板缺陷仿真及检测的研究，采用具有高空间分辨能力

    的光发射电子显微镜对含有缺陷的掩模白板进行检测，并对缺陷类型进行识别。取得

    的研究成果如下：

    （1

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