最新实验十四--TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试.docxVIP

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  • 2026-05-21 发布于四川
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最新实验十四--TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试.docx

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使输出保持高电平Vo=0.9Voh时的最大拉流;(4)平均传输延迟时间Ty

使输出保持高电平Vo=0.9Voh时的最大拉流;(4)平均传输延迟时间Ty:同TTl门电路定义。CMOS门电路的电压传输特性与非门的逻辑特性输入有低,输出就高;

输入全高,输出就低。(三)TTL电路与CMOS电路的接口设计:(图见书上)Voh(min)=V1h(min)Vol(max)=Vil(max)Ion(max

9011三极管参数:β=100,Icm=30mA)使输出D的波形与输入A反相。电路设计:反相电路设计如下图:(注意串接大小为10K的电阻)精品文档若要D与A相同

,最简电路应如何设计。实验图像:(A,B点的)精品文档设计电路:同相波形:精品文档精品文档反相波形:实验总结:通过此次实验,我从中复习数字电路中关于TTL、CM

实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试

厦门大学通信工程系林XX

一.实验目的:

1、掌握TTL、CMOS与非门参数的测量方法;

2、掌握TTL、CMOS与非门逻辑特性的测量方法;

3、掌握TTL与CMOS门电路接口设计方法。二.实验原理:

(一)TTL门电路:

TTL门电路是标准的集成数字电路,其输入、输出端均采用双极型三极管结构:凡是TTL器件特性均与TTL门电路具有相同特性,故需了解TTL

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