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表面等离子体增强型MoS2二维材料光电探测器性能研究.pdf

表面等离子体增强型MoS2二维材料光电探测器性能研究.pdf

    摘要

    MoS2二维材料由于较高的电子迁移率和出色的光与物质相互作用，在下一代高

    性能光电器件中展示出巨大的应用潜力。然而，MoS2二维材料低光吸收截面限制了

    其光电器件的性能。目前，引入金属局域表面等离子体共振效应（LSPR）成为提高

    二维材料光吸收的有效方法。然而，金属纳米粒子与二维材料接触不可避免地造成自

    由电子转移以及破坏二维材料的晶格结构，这些原因导致高光响应的等离子体型光电

    探测器往往伴随着高暗电流的困境，严重限制了器件在弱光探测领域的应用。因此论

    文围绕抑制等离子体型MoS2

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