CN119596113A 基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统 （无锡芯力为半导体设备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119596113A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411819789.3

(22)申请日2024.12.11

(71)申请人无锡芯力为半导体设备有限公司

地址214000江苏省无锡市滨湖区十八湾

路288号湖景科技园19号楼

申请人清华大学无锡应用技术研究院

清华大学

(72)发明人段涛周德金万克山徐宏

(74)专利代理机构无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙)32492

专利代理师刘咏华

(51)Int.Cl.

G01R31/28(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测

试方法及系统

(57)摘要

CN119596113A本发明公开了基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统，具体包括如下步骤：步骤一：构建多应力条件综合测试平台；步骤二：制定包含多应力条件的测试标准；步骤三：优化样品处理与测试夹具设计，针对碳化硅集成电路的特点，设计合适的测试夹具，确保样品在测试过程中不会受到损坏或性能下降；通过实施构建多应力条件综合测试平台、制定包含多应力条件的测试标准、优化样品处理与测试夹具设计、提升测试设备精度与校准频率以及建立持续监测与反馈机制一系列具体