电工电子第十九讲.pptxVIP

半导体三极管

基本结构

基极

发射极

集电极

NPN型

符号：

NPN型三极管

PNP型三极管

基区：最薄，

掺杂浓度最低

发射区：掺

杂浓度最高

发射结

集电结

结构特点：

集电区：

面积最大

电流分配和放大原理

1.三极管放大的外部条件

发射结正偏、集电结反偏

PNP

发射结正偏VBVE

集电结反偏VCVB

从电位的角度看：

NPN

发射结正偏VBVE

集电结反偏VCVB

EC

RC

IC

UCE

C

E

B

UBE

共发射极接法放大电路

三极管的电流控制作用

三极管具有电流控

制作用的外部条件:

（1）发射结正向偏置；

（2）集电结反向偏置。

对于NPN型三极管应满足:

UBE0

UBC0

即VCVBVE

对于PNP型三极管应满足:

UEB0

UCB0

即VCVBVE

公

共

端

EB

RB

IB

2.各电极电流关系及电流放大作用

结论:

1）三电极电流关系IE=IB+IC

2）ICIB，ICIE

3）ICIB，且IC≈βIB