CN119598963A 一种防止在版图中ggnmos误接的检查方法 （中茵微电子(南京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119598963A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510158259.7

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人中茵微电子（南京）有限公司

地址210000江苏省南京市浦口区浦口经

济开发区双峰路69号A-27

(72)发明人吴娟萍王洪鹏

(74)专利代理机构广州博志知识产权代理有限

公司441111

专利代理师黄锦阳

(51)Int.Cl.

G06F30/398(2020.01)

权利要求书3页说明书9页附图4页

(54)发明名称

一种防止在版图中GGNMOS误接的检查方法

(57)摘要

CN119598963A本发明公开了一种防止在版图中GGNMOS误接的检查方法，涉及集成电路技术领域。步骤包括：编写设计规则检查文件，识别版图中的硅化物阻挡层区域；根据编写的设计规则检查文件分析层次连接，判断硅化物阻挡层区域是否正确地连接到漏极端；通过版图设计验证软件自动检查GGNMOS的连接情况，识别出版图中的误接问题；本发明用于防止GGNMOS在集成电路版图中发生误接，精确识别和验证硅化物阻挡层区域的位置和连接，确保与漏极端的正确电气连接，同时优化连接路径，提高电路设计的准确性，还通过SPICE模型仿真来预测电路性能，并通过图形化结