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  • 2026-05-23 发布于河南
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半导体参杂能力测试试卷

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一、单选题(共10题)

1.什么是半导体的本征载流子浓度?()

A.由于掺杂而引入的载流子

B.半导体中不掺杂时的载流子浓度

C.半导体中掺杂后增加的载流子浓度

D.半导体中自由载流子浓度

2.N型半导体中的主要载流子是什么?()

A.电子

B.空穴

C.中性原子

D.离子

3.P型半导体中的主要载流子是什么?()

A.电子

B.空穴

C.中性原子

D.离子

4.掺杂剂的作用是什么?()

A.降低半导体的本征载流子浓度

B.增加半导体的本征载流子浓度

C.减少半导体的导电性

D.增加半导体的电阻率

5.什么是漂移电流?()

A.由于温度变化引起的电流

B.由于电场作用在半导体中产生的电流

C.由于光照引起的电流

D.由于化学反应引起的电流

6.什么是扩散电流?()

A.由于温度变化引起的电流

B.由于电场作用在半导体中产生的电流

C.由于光照引起的电流

D.由于化学反应引起的电流

7.PN结的形成是通过什么过程实现的?()

A.晶体生长过程

B.化学反应过程

C.热扩散过程

D.电化学反应过程

8.PN结的正向偏置和反向偏置分别是什么意思?(

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