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第23卷第3期北方工业大学学报Vo1．23No．3

2011年9月J．NORTHCHINAUNIV．OFTECH．Sept．2011

硅压阻式传感器的优化分析*

杨峻松谭晓兰刘珍妮张敏亮王峰

(北方工业大学机电工程学院，100144，北京)

摘要硅压阻式微传感器的压力灵敏度除与硅膜片的厚度、大小、压敏电阻阻值大小有

关外，还与电阻在硅膜片的分布方位及在硅膜片上的位置有关．本文讨论了压敏电阻构成的电

桥电路其输出电压灵敏度与电阻所处位置和方向的关系，求出传感器的压力灵敏度极值及其条

件，并讨论了电阻的纵向压阻系数和横向压阻系数与方向的关系，并求出其极值．

关键词压力传感器；晶向；方向余弦；纵向压阻系数；横向压阻系数

分类号TP212．1

基于硅压阻效应设计的典型传感器是压力这种电阻分布对于同