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Si83Ge17Si基底上HfO2薄膜介电与纳米磁性：性能、影响因素及应用探索

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的迅猛发展，电子器件正朝着小型化、高性能化和多功能化的方向不断迈进。在这一发展趋势中，半导体器件作为电子设备的核心部件，其性能的提升至关重要。MOS场效应晶体管（MOS-FETs）作为一种广泛应用于集成电路中的关键器件，其性能的优化对于推动整个电子行业的发展具有重要意义。

SiGe基底的出现为MOS场效应晶体管的性能提升提供了新的契机。与传统的Si基底相比，SiGe基底具有独特的优势。由于Si和Ge的晶格常数存在差异，在SiGe材料中会