CN120129312A 一种InGaN叠层太阳电池及其制备方法 (南昌大学).pdfVIP

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  • 2026-05-23 发布于重庆
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CN120129312A 一种InGaN叠层太阳电池及其制备方法 (南昌大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120129312A

(43)申请公布日2025.06.10

(21)申请号202510348048.X

(22)申请日2025.03.24

(71)申请人南昌大学

地址330000江西省南昌市红谷滩区学府

大道999号

申请人南昌实验室

南昌硅基半导体科技有限公司

(72)发明人曹盛欧阳子龙全知觉江风益

(51)Int.Cl.

H10F19/90(2025.01)

H10F10/172(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

H10F77/30(2025.01)

权利要求书2

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