厦门大学 模拟IC的分析与设计课件 L03半导体制造.pptVIP

熔点为1857±20℃,沸点为2672℃，密度为7.190g/cm3(20℃)。硬的蓝白色金属。溶于盐酸和硫酸，但因形成保护层而不溶于硝酸、磷酸或高氯酸，在空气中抗氧化。主要用于合金、镀铬和金属陶瓷。*退火处理通常，离子注入的深度较浅且浓度较大，必须使它们重新分布。同时由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤，在离子注入后要进行退火处理。在退火的同时，掺入的杂质同时向半导体体内进行再分布。**《集成电路设计基础》离子注入机离子注入机包含离子源，分离单元，加速器，偏向系统，注入室等。**离子注入机的工作原理首先把待掺杂物质如B，P，As等离子化，利用质量分离器(MassSeperator)取出需要的杂质离子。分离器中有磁体和屏蔽层。由于质量，电量的不同，不需要的离子会被磁场分离，并且被屏蔽层吸收。通过加速管，离子被加速到一个特定的能级，如10~500keＶ。通过四重透镜，聚成离子束，在扫描系统的控制下，离子束轰击在注入室中的晶圆上。在晶圆上没有被遮盖的区域里，离子直接射入衬底材料的晶体中，注入的深度取决于离子的能量。最后一次偏转(deflect)的作用是把中性分离出去faradaycup的作用是用来吸收杂散的电子和离子．**离子注入技术优点离子注入技术主要