CN119604026A 基于单晶硅局域soi衬底的光电器件及制备方法 （上海新微技术研发中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604026A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411800449.6

(22)申请日2019.07.17

(62)分案原申请数据

201910645972.92019.07.17

(71)申请人上海新微技术研发中心有限公司

地址201800上海市嘉定区城北路235号1

号楼

(72)发明人汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H10D86/01(2025.01)

H01L21/762(2006.01)

H10D86/00(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

基于单晶硅局域SOI衬底的光电器件及制备

方法

(57)摘要

CN119604026A本发明提供一种基于单晶硅局域SOI衬底的光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，且在所述介质层中刻蚀出种子槽；3)沉积非晶硅层于种子槽及介质层表面，并通过固相外延工艺形成单晶硅层，以形成所述单晶硅局域SOI衬底；4)于介质层上的单晶硅层上制备电学器件，且电