CN119604045A 紫外光电探测器及其制备方法 （天津大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604045A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510125602.8

(22)申请日2025.01.27

(71)申请人天津大学

地址300072天津市南开区卫津路92号

(72)发明人马雷王雪马彦青靳炜唐曹

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021

专利代理师任亚欣

(51)Int.Cl.

H10F30/222(2025.01)

H10F77/122(2025.01)

H10F77/1226(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书2页说明书14页附图12页

(54)发明名称

紫外光电探测器及其制备方法

(57)摘要

CN119604045A本发明提供一种紫外光电探测器及其制备方法，紫外光电探测器包括：碳化硅衬底；石墨烯沟道，由外延生长在碳化硅衬底上的石墨烯材料构成，石墨烯材料在拉曼光谱中的D峰与G峰的强度比不大于0.25；两个金属电极，设置在碳化硅衬底上且分别搭接于石墨烯沟道的两侧；石墨烯沟道和碳化硅衬底之间具有功函差，石墨烯沟道和碳化硅衬底的接触界面形成内建电场，当外部的紫外光照射至碳化硅衬底时，碳化硅衬底中形成电子一空穴对，在内建电场的作用下，