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化学气相沉积（CVD）法制备碳纳米管薄膜

第一章绪论

1.1实验背景

1.1.1研究领域现状

碳纳米管自1991年被发现以来，凭借其优异的力学、电学和热学性能，迅速成为纳米材料领域的研究热点。作为一种典型的一维纳米材料，碳纳米管在微电子器件、复合材料增强体、场发射显示器以及能源存储转换等领域展现出巨大的应用潜力。特别是碳纳米管薄膜，既保留了单根碳纳米管的卓越性能，又具备宏观材料的可加工性，是连接微观结构与宏观应用的关键桥梁。

目前，碳纳米管薄膜的制备技术主要包括真空过滤法、旋涂法、喷涂法以及化学气相沉积法（CVD）。其中，CVD法因其能够直接生长出高纯度、结构可控的薄膜而备受青睐。该技术通过调节碳源、催化剂和生长温度等参数，可以有效控制碳纳米管的直径、长度和取向，是实现高质量薄膜制备的主流技术路线。

然而，现有技术在实际应用中仍面临诸多挑战。传统的CVD生长模式往往需要预先制备催化剂薄膜，工艺繁琐且催化剂颗粒分布难以精确控制。此外，如何在保持高结晶度的同时实现薄膜的大面积均匀生长，以及如何有效降低生长温度以兼容半导体工艺，仍是当前亟待解决的关键技术瓶颈。

1.1.2实验问题提出

在碳纳米管薄膜的制备过程中，催化剂的分散性与活性是决定薄膜质量的核心矛盾。传统的预沉积催化剂法往往存在催化剂颗粒团聚、基底浸润性差等问题，导致生长的碳纳米管纯度低、定向性差。如何实