【2026年整理】2半导体材料的制备.pptVIP

半导体材料的制备;半导体级硅;单晶硅材料制备流程;粗硅的形成：;高纯四氯化硅的提纯;精馏塔装置示意图;晶体的生长方式;单晶硅硅棒生长;籽晶固定到一端然后放进生长炉中，用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域，由于不用坩埚，硅纯度高且含氧量低。;直拉法把溶化了的半导体级硅液体变为正确晶向并且被参杂成n型或者是p型的固体硅锭，属于液相生长。

目的：是实现均匀参杂浓度的同时精确地复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径

影响直拉法的主要参数：拉伸速度和晶体旋转速度。

;直拉单晶生长过程;直拉单晶生长工艺步骤;籽晶放在熔体表面并在旋转过程中缓慢的拉起，它的方向与坩埚的旋转方向相反，熔体上的液体因为表面张力而提高;掺杂;整形处理;硅片定位边或者定位槽（表示硅片的径向和结构）;切片;研磨和倒角;抛光;质量检测;晶体缺陷

颗粒晶体表面的颗粒数量应加以控制，使在芯片制造中的成品率损失降到最底，

体电阻率硅锭的体电阻率依赖于在晶体生长前掺杂到熔体中的杂质浓度;单晶制备过程中的缺陷;点缺陷：空位缺陷，间歇缺陷，弗朗克缺陷;位错在晶胞形成重复性结构时，发生错位。可以再晶体生长和硅片制备中的任意一个阶段产生。;层错与晶体结构相关，经常发生在晶体生长过程中