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金属基Pt／ITO薄膜热电偶的制备·23·

金属基Pt／ITO薄膜热电偶的制备

赵文雅，蒋g~JII，陈寅之，张万里，刘兴钊，彭少龙，唐磊

(I．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054；

2．中国燃气涡轮研究院测控室，四川江油621703)

摘要：采用多层膜结构制备了金属基Pt／ITO薄膜热电偶，薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrA1Y过渡层、

热生长A1：O3层、A12O3绝缘层、Pt／ITO功能层和A12O3保护层构成。静态标定结果表明：样品的平均塞贝

克系数为107．45~V／~C。测试温度可达到1000oC。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。

关键词：Pt／ITO薄膜热电偶；静态标定；热电势；塞贝克系数

中图分类号：rrP212．9文献标识码：A文章编号：1000—8829(2013)04—0023-03

FabricationofPt／ITOThin-FilmTher