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- 2026-05-27 发布于北京
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APM7314
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•30V/6A,R=21m(典型值)@V=10SO-8
DS(ON)GS
VRDS(ON)=32m(典型值)@VGS=5V
S118D1
•超级度单元设计实现极低RDS(ON)
G127D1
•可靠且坚固S236D2
•SO‑8封装G
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