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硫化锌与氧化锌低维结构：制备、物性及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，硫化锌（ZnS）和氧化锌（ZnO）凭借其独特的物理化学性质，占据着举足轻重的地位，成为科研人员深入探索的焦点。硫化锌，作为一种重要的宽带隙半导体材料，其禁带宽度约为3.35eV，拥有良好的化学稳定性和较高的荧光量子效率。而氧化锌同样是直接宽带隙半导体，禁带宽度达3.37eV，且具备较大的激子束缚能（约60meV），远高于室温下的热能（26meV），这使其在室温下能够实现高效的激子复合发光。

随着纳米科技与低维材料研究的蓬勃发展，将硫化锌和氧化锌制备成低维结构成为了极具潜力