反铁磁耦合双层膜与三层膜磁特性的微磁学探究：结构、机制与应用.docx

反铁磁耦合双层膜与三层膜磁特性的微磁学探究：结构、机制与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，近年来取得了飞速发展。自2007年诺贝尔物理学奖授予发现巨磁电阻效应（GMR）的法国科学家艾伯特?费尔（AlbertFert）和德国科学家彼得?格林贝格尔（PeterGrunberg）以来，自旋电子学相关的研究和应用受到了广泛关注。GMR效应源于铁磁层间的反铁磁耦合相互作用，使得磁层内的磁矩反平行排列，在外磁场作用下，磁矩偏离反平行排列，进而导致多层膜结构电阻急剧变化。这一效应的应用极大地推动了计算机硬