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P通道增强型场效应晶体管NDT452P特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-05-27 发布于北京
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P通道增强型场效应晶体管NDT452P特性与应用.pdf

    1996年9月

    N

    NDT452P

    P通道增强型场效应晶体管

    概述特性

    功率SOTP通道增强型功率‑3A，‑30V。RDS(ON)=0.18@VGS=‑10V。

    场效应晶体管采用国家的DS(ON)

    度单元设计，实现极低的R。

    专有的高单元密度DMOS技术。

    在小型封装中具有高功率和大电流处理能力。

    这一极度工艺特别定制

    广泛用于表面贴装封装。

    在化导通电阻

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