模拟电子电路章西北工业大学.ppt

模拟电子电路章西北工业大学;（优选）模拟电子电路章西北工业大学;结构特点：;;本征半导体;一、半导体中的载流子;本征半导体;一、半导体中的载流子;3、空穴的移动;本征激发和复合的过程（动画1-1）;;;(1）N型半导体;;(2)P型半导体;;;半导体中的电流;2.2PN结;结的形成;;内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用，限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。;;在N型和P型半导体的结合面上发生物理过程总结:;;PN结最重要的特性是单向导电特性，先看如下实验。;此时发光二极管不发光，说明PN结不导电。这个实验说明PN结（二极管）具有单向导电性。;;结加正向电压时的导电情况;结加反向电压时的导电情况;;其中;PN结的伏安特性曲线如图所示。

处于第一象限的是正向伏安特性曲线，

处于第三象限的是反向伏安特性曲线。;;刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。

在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流IS。

此时发光二极管导通而发光。

在界面P区的一侧，杂质变成负离子。

内电场的出现及内电场的方