CN119855221A 自分层可寻址三维堆叠纳米线集成及cfet结构的制备方法及逻辑器件制备方法 (南京大学).pdfVIP

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  • 2026-05-29 发布于重庆
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CN119855221A 自分层可寻址三维堆叠纳米线集成及cfet结构的制备方法及逻辑器件制备方法 (南京大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855221A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510336276.5

(22)申请日2025.03.21

(71)申请人南京大学

地址210000江苏省南京市栖霞区仙林大

道163号

(72)发明人余林蔚钱文涛翁乐桑冠荞

王军转

(74)专利代理机构南京乐羽知行专利代理事务

所(普通合伙)32326

专利代理师李培

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/85(2025.01)

H10D88/00(2025.01)

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