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半导体制造污染防治指南(试行)

本指南适用于4英寸及以上晶圆制造、先进封装、分立器件、光电器件制造等半导体生产企业的全流程污染防控，覆盖前端晶圆制造、中段晶圆加工、后端封装测试全生产环节，不含半导体衬底材料制备、电子化学品提纯等上游原材料生产环节。

1源头污染防控

1.1原辅材料绿色替代

光刻环节优先选用VOCs含量≤10%的水性光刻胶、低金属杂质光刻胶，替代传统溶剂型光刻胶（VOCs含量通常为40%-65%），可降低有机废气产生量50%以上；蚀刻工艺优先选用柠檬酸基、草酸基低毒蚀刻液，替代氢氟酸-硝酸混合酸性蚀刻液，可减少氟化物、氮氧化物产生量65%以上；清洗工序推广半水基清洗、兆声清洗