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- 2026-06-01 发布于浙江
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JMaterSci:MaterElectron(2016)27:11825–11833
DOI10.1007/s10854-016-5323-6
DisorderinducedconductivityenhancementinSHIirradiated
undopedandN-doped6H-SiCsinglecrystals
11234
K.Sivaji•E.Viswanathan•S.Sellaiyan•R.Murugaraj•D.Kanjilal
Received:11April2016/Accepted:7July2016/Publishedonline:20July2016
SpringerScience+BusinessMediaNewYork2016
AbstractWehavestudiedundopedandN-doped6H-SiC1Introdu
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