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(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(含答案)

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种工艺是半导体芯片制造中实现图案从掩膜版转移到晶圆表面的关键步骤？

A.化学机械抛光（CMP）

B.光刻（Photolithography）

C.物理气相沉积（PVD）

D.离子注入（IonImplantation）

答案：B

2.12英寸晶圆制造中，光刻工艺的对准精度要求通常为：

A.±5nm

B.±20nm

C.±50nm

D.±100nm

答案：B（注：2025年先进制程节点对准精度提升，12英寸成熟制程一般要求±20nm）

3.干法刻蚀中，等离子体的主要作用是：

A.提供高温环境促进反应

B.产生高能粒子轰击材料表面

C.溶解材料形成溶液

D.降低材料表面能

答案：B

4.以下哪种薄膜沉积工艺可实现原子级厚度控制？

A.低压化学气相沉积（LPCVD）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.磁控溅射（MagnetronSputtering）

答案：C

5.扩散工艺中，常用的掺杂源气体不包括：

A.三氯氧磷（POCl?）

B.硼烷（B?H?）

C.硅烷（SiH?）

D.砷烷（AsH?