CN119630041A 半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630041A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411439261.3

(22)申请日2020.07.07

(30)优先权数据

16/657,3722019.10.18US(62)分案原申请数据

202010644475.X2020.07.07

H10D30/01(2025.01)H01L21/225(2006.01)

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人杜文仙刘致为吕芳谅

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.Cl.

H10D62/13(2025.01)

H10D30/62(2025.01)

权利要求书2页说明书13页附图11页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119630041A本发明针对具有源极/漏极外延堆叠件的半导体结构，该源极/漏极外延堆叠件具有低熔点顶层和高熔点底层。例如，半导体结构包括设置在鳍上的栅极结构和形成在鳍的未由栅极结构覆盖的部分中的凹槽。此外，半导体结构包括设置在凹槽中的源极/漏极外延堆叠件，其中源极/漏极外延堆叠件具有底层和顶层，该顶层具有比