CN119630111A 一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法 （山西创芯光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630111A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510158081.6

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人山西创芯光电科技有限公司

地址030000山西省太原市小店区南内环

街16号二号厂房一层

(72)发明人郭健张培峰文晋苏莹

薛建凯冯伟李斌陈龙华

(74)专利代理机构太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109

专利代理师孟肖阳崔浩

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

H10F30/21(2025.01)

H10F77/30(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种新型二类超晶格红外探测器的制备方

法

(57)摘要

CN119630111A本发明提供了一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法，属于红外探测器领域；解决了目前Ⅱ类超晶格红外探测器的无机膜层通常含有较大的应力，易出现裂纹的问题；包括以下步骤：在外延层上沉积无机掩膜层；在无机掩膜层上方涂布光刻胶，显影形成图案化的光刻胶；在无机掩膜层上进行刻蚀形成通孔结构；在通孔结构的无机掩膜层上方形成台面图案化光刻胶；在通孔结构的无机掩膜层形成台面图形；刻蚀外延层