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功率器件的动态导通电阻测试

第一章绪论

1.1研究背景

随着全球能源结构转型与“双碳”战略的深入推进，电力电子技术正朝着高效率、高功率密度与高开关频率的方向加速演进。在新能源汽车、数据中心供电系统、快充适配器以及可再生能源逆变器等应用场景中，功率变换器的性能直接决定了整机系统的能效水平与体积重量。传统硅基功率器件受限于材料物理特性，其导通电阻与开关损耗的优化已逼近理论极限，难以满足新一代电力电子装备对高频化与小型化的严苛要求。

以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料凭借其高临界击穿场强、高电子饱和速度以及低寄生电容等优势，成为突破硅基器件性能瓶颈的关键技术路径。GaN